2SB631E ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB631E - 2SB631E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1336+ | 24.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB631E ONSEMI
Description: TRANS PNP 100V 1A TO-126, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V, Frequency - Transition: 110MHz, Supplier Device Package: TO-126, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SB631E за ціною від 24.38 грн до 28.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB631E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 1A TO-126 Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 10553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| 2SB631E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 1000mW 3-Pin TO-126 |
на замовлення 10553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|