Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > 2SB772 LGE
2SB772 LGE

2SB772 LGE

Код товару: 188571
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: LGE
Корпус: TO-126
Гранична частота fT, МГц: 80 МГц
Напруга Uке, В: 30 В
Напруга Uкб, В: 40 В
Струм Iк, А: 3 А
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.50 грн
10+5.80 грн
100+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни 2SB772 LGE LGE

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SB772 2SB772
Код товару: 24240
Додати до обраних Обраний товар
NEC 2SB772.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Гранична частота fT, МГц: 80 МГц
Напруга Uке, В: 30 В
Напруга Uкб, В: 40 В
Струм Iк, А: 3 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 400
у наявності: 282 шт
  • 222 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3+7.50 грн
10+6.70 грн
100+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB772
Код товару: 24240
Додати до обраних Обраний товар
2SB772.pdf
2SB772
Виробник: NEC
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Гранична частота fT, МГц: 80 МГц
Напруга Uке, В: 30 В
Напруга Uкб, В: 40 В
Струм Iк, А: 3 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 400
у наявності: 282 шт
  • 222 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
3+7.50 грн
10+6.70 грн
100+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції 2SB772 LGE

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SB772 NEC 2SB772.pdf PNP, TO-126, h=160-320, 3A, Uceo=30V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB772 STM 2SB772.pdf TO-126,PNP, h=160-320,Ic=3A,Uceo=30V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB772 STMicroelectronics 2SB772_STM.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 30, Ic = 3 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,1 @ 150 мA, 3 A, Р, Вт = 12,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB772 2SB772 STMicroelectronics 2SB772.pdf Description: TRANS PNP 30V 3A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB772 2SB772 STMicroelectronics 2SB772.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power -30VCEO -5VBEO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB772 2SB772.pdf
Виробник: NEC
PNP, TO-126, h=160-320, 3A, Uceo=30V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB772 2SB772.pdf
Виробник: STM
TO-126,PNP, h=160-320,Ic=3A,Uceo=30V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB772 2SB772_STM.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор PNP, Uceo, В = 30, Ic = 3 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,1 @ 150 мA, 3 A, Р, Вт = 12,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB772 2SB772.pdf
2SB772
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 30V 3A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB772 2SB772.pdf
2SB772
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power -30VCEO -5VBEO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.