Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > 2SB815-6-TB-E

2SB815-6-TB-E

en694-d.pdf
Код товару: 184952
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 2SB815-6-TB-E за ціною від 9.42 грн до 9.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SB815-6-TB-E 2SB815-6-TB-E onsemi en694-d.pdf Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3-CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 782154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2141+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 2141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB815-6-TB-E 2SB815-6-TB-E ON Semiconductor EN694_D-2310902.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 15V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB815-6-TB-E 2SB815-6-TB-E ONSEMI en694-d.pdf Description: ONSEMI - 2SB815-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 700 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 796939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB815-6-TB-E 2SB815-6-TB-E ONSEMI ONSMS36980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SB815-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 700 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 796939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB815-6-TB-E en694-d.pdf
2SB815-6-TB-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3-CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 782154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2141+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 2141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB815-6-TB-E EN694_D-2310902.pdf
2SB815-6-TB-E
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 15V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB815-6-TB-E en694-d.pdf
2SB815-6-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB815-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 700 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 796939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB815-6-TB-E ONSMS36980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SB815-6-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB815-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 700 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 796939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.