
2SB815-6-TB-E ONSEMI

Description: ONSEMI - 2SB815-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 700 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 796939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
139+ | 5.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB815-6-TB-E ONSEMI
Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3-CP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: 3-CP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Power - Max: 200 mW.
Інші пропозиції 2SB815-6-TB-E за ціною від 5.93 грн до 8.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SB815-6-TB-E | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 700mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 796939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
2SB815-6-TB-E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-CP Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 794950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
2SB815-6-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
2SB815-6-TB-E Код товару: 184952
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||
2SB815-6-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||
![]() |
2SB815-6-TB-E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
2SB815-6-TB-E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW |
товару немає в наявності |