Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2SB815-7-TB-E
2SB815-7-TB-E

2SB815-7-TB-E ON Semiconductor

2sb815-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3402+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 3402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB815-7-TB-E ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3-CP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: 3-CP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції 2SB815-7-TB-E за ціною від 8.01 грн до 33.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SB815-7-TB-E 2SB815-7-TB-E onsemi EN694-D.html Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3-CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.87 грн
15+20.01 грн
100+12.73 грн
500+8.97 грн
1000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB815-7-TB-E 2SB815-7-TB-E onsemi EN694-D.html Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 15V
на замовлення 45933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB815-7-TB-E EN694-D.html
2SB815-7-TB-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3-CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.87 грн
15+20.01 грн
100+12.73 грн
500+8.97 грн
1000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB815-7-TB-E EN694-D.html
2SB815-7-TB-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 15V
на замовлення 45933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.