
на замовлення 45974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 29.28 грн |
17+ | 20.09 грн |
100+ | 9.17 грн |
1000+ | 7.56 грн |
3000+ | 6.09 грн |
9000+ | 5.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB815-7-TB-E onsemi
Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3-CP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: 3-CP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Power - Max: 200 mW.
Інші пропозиції 2SB815-7-TB-E за ціною від 8.44 грн до 35.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SB815-7-TB-E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 2953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
2SB815-7-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
2SB815-7-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
2SB815-7-TB-E | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 15V; 0.7A; 0.2W; SC59 Case: SC59 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 15V Current gain: 300...600 Collector current: 0.7A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
2SB815-7-TB-E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
2SB815-7-TB-E | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 15V; 0.7A; 0.2W; SC59 Case: SC59 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 15V Current gain: 300...600 Collector current: 0.7A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar |
товару немає в наявності |