2SB815-7-TB-E ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3410+ | 9.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB815-7-TB-E ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3-CP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: 3-CP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Power - Max: 200 mW.
Інші пропозиції 2SB815-7-TB-E за ціною від 6.28 грн до 35.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SB815-7-TB-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3-CPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SB815-7-TB-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 15V |
на замовлення 45945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SB815-7-TB-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3-CPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
2SB815-7-TB-E | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 15V; 0.7A; 0.2W; SC59 Case: SC59 Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Type of transistor: PNP Mounting: SMD Power dissipation: 0.2W Collector current: 0.7A Collector-emitter voltage: 15V Current gain: 300...600 Polarisation: bipolar |
товару немає в наявності |



