2SB817C-1E onsemi

Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 140V 12A TO-3P-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 120 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2SB817C-1E onsemi

Description: TRANS PNP 140V 12A TO-3P-3L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: TO-3P-3L, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 120 W.

Інші пропозиції 2SB817C-1E

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	2SB817C-1E	Виробник : onsemi	Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, -140V, -12A, Low VCE(sat) PNP TO-3P-3L	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.