Продукція > ONSEMI > 2SB817C
2SB817C

2SB817C onsemi

SNYOS09580-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-3P-3
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 2.5 W
на замовлення 17513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
126+157.68 грн
Мінімальне замовлення: 126
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB817C onsemi

Description: PNP SILICON TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: TO-3P-3, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 2.5 W.

Інші пропозиції 2SB817C за ціною від 160.05 грн до 160.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SB817C Виробник : ONSEMI SNYOS09580-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SB817C - 2SB817C, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
152+160.05 грн
Мінімальне замовлення: 152
2SB817C Виробник : onsemi SNYOS09580-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw onsemi BIP PNP 12A 140V
товар відсутній