2SB824S ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB824S - 2SB824S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 822+ | 29.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB824S ONSEMI
Description: PNP SILICON TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1.75 W.
Інші пропозиції 2SB824S за ціною від 29.6 грн до 29.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB824S | Виробник : onsemi |
Description: PNP SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|