2SB825R

2SB825R onsemi


SNYOS08273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 6125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
485+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 485
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB825R onsemi

Description: PNP SILICON TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 7 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 40 W.

Інші пропозиції 2SB825R за ціною від 41.55 грн до 41.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SB825R Виробник : ONSEMI SNYOS08273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SB825R - 2SB825R, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
583+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 583
2SB825R SNYOS08273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)