2SB860-E Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: TRANS PNP 100V 4A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 4V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 233+ | 94.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB860-E Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 100V 4A TO-220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 4V, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.8 W.
Інші пропозиції 2SB860-E за ціною від 125.77 грн до 125.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB860-E | Виробник : Renesas |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|