2SB865-AE ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB865-AE - 2SB865-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 20.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB865-AE ONSEMI
Description: TRANS PNP DARL 50V 1.5A 3-MP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: 3-MP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 900 mW.
Інші пропозиції 2SB865-AE за ціною від 20.57 грн до 23.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB865-AE | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 50V 1.5A 3-MP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-MP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| 2SB865-AE | Виробник : ON Semiconductor |
2SB865-AE |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|