2SB927S-AE onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANSISTOR
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Supplier Device Package: 3-MP
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB927S-AE onsemi
Description: TRANSISTOR, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A, Supplier Device Package: 3-MP, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Part Status: Active, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2SB927S-AE за ціною від 97.03 грн до 107.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB927S-AE | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 2.5A 1000mW 3-Pin Case MP |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| 2SB927S-AE |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 2.5A 1000mW 3-Pin Case MP
Trans GP BJT PNP 25V 2.5A 1000mW 3-Pin Case MP
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 328+ | 107.32 грн |
| 500+ | 102.75 грн |
| 1000+ | 97.03 грн |