2SC1815 TIN/LEAD

2SC1815 TIN/LEAD Central Semiconductor


get_document-1149989.pdf Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 50Vceo 5.0V 150mA 400mA 400mW
на замовлення 1380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.39 грн
10+68.83 грн
100+46.57 грн
500+39.47 грн
1000+33.73 грн
2500+28.63 грн
10000+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC1815 TIN/LEAD Central Semiconductor

Description: 50V 150MA 400MW TH TRANSISTOR-SM, Packaging: Box, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 400 mW.

Інші пропозиції 2SC1815 TIN/LEAD

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC1815 TIN/LEAD 2SC1815 TIN/LEAD Виробник : Central Semiconductor Corp Description: 50V 150MA 400MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.