2SC2721-T-AZ Renesas
Виробник: Renesas
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC2721-T-AZ Renesas
Description: 2SC2721 - Bipolar Power Transist, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Current - Collector (Ic) (Max): 700mA, Power - Max: 1W, Operating Temperature: 150°C (TJ), Frequency - Transition: 110MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 3-SSIP, Packaging: Bulk, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції 2SC2721-T-AZ за ціною від 10.69 грн до 10.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC2721-T-AZ | Renesas | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| 2SC2721-T-AZ | Renesas | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| 2SC2721-T-AZ |
Виробник: Renesas
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3308+ | 10.69 грн |
| 2SC2721-T-AZ |
Виробник: Renesas
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3308+ | 10.69 грн |