2SC2812-6-M-TB-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.15A 3-CP
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC2812-6-M-TB-E onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.15A 3-CP, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Supplier Device Package: 3-CP, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Part Status: Active, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2SC2812-6-M-TB-E за ціною від 2.67 грн до 2.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC2812-6-M-TB-E | ON Semiconductor |
2SC2812-6-M-TB-E |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| 2SC2812-6-M-TB-E |
|
Виробник: ON Semiconductor
2SC2812-6-M-TB-E
2SC2812-6-M-TB-E
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13275+ | 2.67 грн |