
2SC3117T ONSEMI

Description: ONSEMI - 2SC3117T - 2SC3117 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 118072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
300+ | 19.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC3117T ONSEMI
Description: TRANS NPN 160V 1.5A TO-126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SC3117T за ціною від 21.29 грн до 28.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SC3117T | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 118072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
2SC3117T | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SC3117T | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 111672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SC3117T | Виробник : SANYO |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |