2SC3332T onsemi


2SC3332.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: 3-NP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Power - Max: 700 mW
на замовлення 3180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1514+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 1514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3332T onsemi

Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP, Power - Max: 700 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 3-NP, Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bulk.

Інші пропозиції 2SC3332T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2SC3332T 2SC3332T onsemi 2SC3332.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Power - Max: 700 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-NP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3332T onsemi EN1334_D-211446.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 160V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3332T 2SC3332.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Power - Max: 700 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-NP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3332T EN1334_D-211446.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 160V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.