Продукція > ONSEMI > 2SC3332T
2SC3332T

2SC3332T ONSEMI

ONSM-S-A0000136965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3332T - 2SC3332T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3332T ONSEMI

Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: 3-NP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 700 mW.

Інші пропозиції 2SC3332T за ціною від 14.17 грн до 14.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC3332T 2SC3332T Виробник : onsemi 2SC3332.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1514+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 1514
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3332T 2SC3332T Виробник : onsemi 2SC3332.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3332T Виробник : onsemi EN1334_D-211446.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 160V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.