2SC3585-T1B-A Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
на замовлення 431384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 833+ | 27.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC3585-T1B-A Renesas Electronics Corporation
Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT-23-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 9dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V, Frequency - Transition: 10GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236), Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції 2SC3585-T1B-A за ціною від 29.97 грн до 31.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC3585-T1B-A | Виробник : Renesas |
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
2SC3585-T1B-A | Виробник : Renesas |
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
2SC3585-T1B-A | Виробник : Renesas |
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
2SC3585-T1B-A | Виробник : Renesas |
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR |
на замовлення 210282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
2SC3585-T1B-A | Виробник : Renesas |
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR |
на замовлення 71102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
2SC3585-T1B-A | Виробник : Renesas |
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
2SC3585-T1B-A | Виробник : CEL |
Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-23-3 |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
2SC3585-T1B-A | Виробник : CEL |
Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-23-3 |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
2SC3585-T1B-A | Виробник : CEL |
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency |
товару немає в наявності |
|||||||
| 2SC3585-T1B-A | Виробник : Renesas Electronics |
RF Bipolar Transistors |
товару немає в наявності |