Продукція > ONSEMI > 2SC3646S-P-TD-E
2SC3646S-P-TD-E

2SC3646S-P-TD-E onsemi



Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Bulk
на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1109+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 1109
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3646S-P-TD-E onsemi

Description: TRANS NPN 100V 1A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PCP, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SC3646S-P-TD-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC3646S-P-TD-E 2SC3646S-P-TD-E onsemi Description: TRANS NPN 100V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-P-TD-E ON Semiconductor EN2005-D-310414.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-P-TD-E
2SC3646S-P-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-P-TD-E EN2005-D-310414.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.