Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > 2SC3646S-TD-E

2SC3646S-TD-E

2sa1416jp-d.pdf
Код товару: 172099
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 2SC3646S-TD-E за ціною від 12.56 грн до 58.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Виробник : onsemi 2sa1416jp-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.81 грн
2000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+20.40 грн
9000+18.65 грн
18000+17.35 грн
27000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Виробник : ONSEMI 2sa1416jp-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.01 грн
500+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+25.71 грн
30+25.19 грн
100+21.20 грн
250+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Виробник : onsemi 2sa1416jp-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.49 грн
10+36.68 грн
100+25.51 грн
500+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Виробник : onsemi 2SA1416_D-3006414.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.37 грн
10+33.75 грн
100+19.43 грн
500+19.01 грн
1000+17.14 грн
2000+13.39 грн
10000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Виробник : ONSEMI 2sa1416jp-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+58.28 грн
22+36.91 грн
100+25.01 грн
500+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Виробник : ONSEMI 2sa1416jp-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.46 грн
13+33.57 грн
100+22.30 грн
250+19.21 грн
500+17.29 грн
1000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1416jp-d.pdf
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.