Продукція > ONSEMI > 2SC3646S-TD-E
2SC3646S-TD-E

2SC3646S-TD-E onsemi


2sa1416jp-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.77 грн
2000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3646S-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції 2SC3646S-TD-E за ціною від 12.53 грн до 75.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+19.00 грн
9000+17.36 грн
18000+16.15 грн
27000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Виробник : ONSEMI 2sa1416jp-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.96 грн
500+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+25.65 грн
30+25.13 грн
100+21.16 грн
250+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Виробник : onsemi 2sa1416jp-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.39 грн
10+36.60 грн
100+25.45 грн
500+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Виробник : onsemi 2SA1416_D-3006414.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.24 грн
10+33.68 грн
100+19.38 грн
500+18.97 грн
1000+17.10 грн
2000+13.36 грн
10000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Виробник : ONSEMI 2sa1416jp-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+58.15 грн
22+36.83 грн
100+24.96 грн
500+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E Виробник : ONSEMI 2sa1416jp-d.pdf 2SC3646S-TD-E NPN SMD transistors
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.60 грн
54+22.00 грн
149+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1416jp-d.pdf
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E
Код товару: 172099
Додати до обраних Обраний товар

2sa1416jp-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.