Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > 2SC3646S-TD-E

2SC3646S-TD-E

2sa1416jp-d.pdf
Код товару: 172099
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 2SC3646S-TD-E за ціною від 14.53 грн до 59.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E onsemi 2sa1416jp-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.88 грн
2000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.72 грн
9000+18.94 грн
18000+17.62 грн
27000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.12 грн
30+25.59 грн
100+21.54 грн
250+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E onsemi 2sa1416jp-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
10+36.83 грн
100+25.62 грн
500+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E ONSEMI 2sa1416jp-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Current gain: 140...280
на замовлення 894 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.61 грн
13+34.38 грн
40+30.44 грн
100+22.31 грн
150+21.64 грн
250+20.38 грн
500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E onsemi 2SA1416_D-3006414.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E ONSEMI 2sa1416jp-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E ONSEMI 2sa1416jp-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2sa1416jp-d.pdf
2SC3646S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+16.88 грн
2000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2sa1416-d.pdf
2SC3646S-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+20.72 грн
9000+18.94 грн
18000+17.62 грн
27000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2sa1416-d.pdf
2SC3646S-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+26.12 грн
30+25.59 грн
100+21.54 грн
250+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2sa1416jp-d.pdf
2SC3646S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+44.68 грн
10+36.83 грн
100+25.62 грн
500+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2sa1416jp-d.pdf
2SC3646S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Current gain: 140...280
на замовлення 894 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+59.61 грн
13+34.38 грн
40+30.44 грн
100+22.31 грн
150+21.64 грн
250+20.38 грн
500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SA1416_D-3006414.pdf
2SC3646S-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2sa1416jp-d.pdf
2SC3646S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2sa1416-d.pdf
2SC3646S-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2sa1416jp-d.pdf
2SC3646S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.