Інші пропозиції 2SC3646S-TD-E за ціною від 12.47 грн до 58.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SC3646S-TD-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 1A PCPPower - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SC3646S-TD-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 1A PCPPower - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SC3646S-TD-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V |
на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SC3646S-TD-E | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89 Mounting: SMD Case: SOT89 Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Collector current: 1A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 140...280 Frequency: 120MHz Polarisation: bipolar |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2SC3646S-TD-E | ON Semiconductor |
|
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SC3646S-TD-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 16.69 грн |
| 2000+ | 14.37 грн |
| 2SC3646S-TD-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.17 грн |
| 10+ | 36.41 грн |
| 100+ | 25.33 грн |
| 500+ | 18.56 грн |
| 2SC3646S-TD-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.97 грн |
| 10+ | 33.51 грн |
| 100+ | 19.29 грн |
| 500+ | 18.87 грн |
| 1000+ | 17.01 грн |
| 2000+ | 13.29 грн |
| 10000+ | 12.47 грн |
| 2SC3646S-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 58.04 грн |
| 13+ | 33.33 грн |
| 100+ | 22.14 грн |
| 250+ | 19.07 грн |
| 500+ | 17.16 грн |
| 1000+ | 16.58 грн |
| 2SC3646S-TD-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





