Продукція > ONSEMI > 2SC3646T-TD-E
2SC3646T-TD-E

2SC3646T-TD-E onsemi

2sa1416-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+14.59 грн
2000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3646T-TD-E onsemi

Description: TRANS NPN 100V 1A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PCP, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SC3646T-TD-E за ціною від 10.91 грн до 43.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC3646T-TD-E 2SC3646T-TD-E onsemi 2sa1416-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.88 грн
10+31.79 грн
100+22.14 грн
500+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646T-TD-E onsemi 2SA1416_D-3150366.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+43.27 грн
10+36.25 грн
100+21.97 грн
500+17.15 грн
1000+14.60 грн
2000+13.39 грн
10000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646T-TD-E ONSEMI ONSMS36365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC3646T-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646T-TD-E 2sa1416-d.pdf
2SC3646T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.88 грн
10+31.79 грн
100+22.14 грн
500+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646T-TD-E 2SA1416_D-3150366.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.27 грн
10+36.25 грн
100+21.97 грн
500+17.15 грн
1000+14.60 грн
2000+13.39 грн
10000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646T-TD-E ONSMS36365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3646T-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.