2SC3646T-TD-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 14.25 грн |
| 2000+ | 12.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC3646T-TD-E onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: PCP, Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V.
Інші пропозиції 2SC3646T-TD-E за ціною від 15.84 грн до 37.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SC3646T-TD-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| 2SC3646T-TD-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V |
на замовлення 2254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SC3646T-TD-E |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.97 грн |
| 10+ | 31.04 грн |
| 100+ | 21.62 грн |
| 500+ | 15.84 грн |
| 2SC3646T-TD-E |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)