2SC3647S-TD-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC3647S-TD-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2SC3647S-TD-E за ціною від 13.32 грн до 74.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC3647S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC3647S-TD-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A |
на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SC3647S-TD-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V |
на замовлення 1641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SC3647S-TD-E | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89 Polarisation: bipolar Mounting: SMD Case: SOT89 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.5W Collector current: 2A Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 140...280 Frequency: 120MHz |
на замовлення 729 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC3647S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2SC3647S-TD-E | ON Semiconductor |
|
на замовлення 467 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SC3647S-TD-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.20 грн |
| 500+ | 21.61 грн |
| 1000+ | 18.02 грн |
| 2SC3647S-TD-E |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.16 грн |
| 10+ | 34.55 грн |
| 100+ | 23.92 грн |
| 500+ | 18.76 грн |
| 2SC3647S-TD-E |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.69 грн |
| 10+ | 37.07 грн |
| 100+ | 22.30 грн |
| 500+ | 18.64 грн |
| 1000+ | 15.88 грн |
| 2000+ | 14.15 грн |
| 5000+ | 13.32 грн |
| 2SC3647S-TD-E |
|
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Frequency: 120MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Frequency: 120MHz
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 62.64 грн |
| 12+ | 36.48 грн |
| 100+ | 23.35 грн |
| 500+ | 19.20 грн |
| 2SC3647S-TD-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 74.58 грн |
| 18+ | 46.39 грн |
| 100+ | 30.20 грн |
| 500+ | 21.61 грн |
| 1000+ | 18.02 грн |
| 2SC3647S-TD-E |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 467 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)