2SC3647S-TD-E onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 18.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC3647S-TD-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2SC3647S-TD-E за ціною від 14.84 грн до 78.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC3647S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC3647S-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC3647S-TD-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V |
на замовлення 1641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC3647S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89 Collector current: 2A Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 140...280 Frequency: 120MHz Case: SOT89 Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Mounting: SMD Power dissipation: 1.5W |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC3647S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89 Collector current: 2A Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 140...280 Frequency: 120MHz Case: SOT89 Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Mounting: SMD Power dissipation: 1.5W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 755 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC3647S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2SC3647S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 467 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
2SC3647S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2SC3647S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
2SC3647S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |