Продукція > ONSEMI > 2SC3647S-TD-E
2SC3647S-TD-E

2SC3647S-TD-E onsemi


2sa1417-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3647S-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2SC3647S-TD-E за ціною від 13.42 грн до 75.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Виробник : ONSEMI 2sa1417-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.42 грн
500+21.77 грн
1000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Виробник : onsemi 2sa1417-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.46 грн
10+34.81 грн
100+24.10 грн
500+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Виробник : onsemi 2SA1417_D-3150112.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.00 грн
10+37.35 грн
100+22.46 грн
500+18.78 грн
1000+15.99 грн
2000+14.26 грн
5000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Виробник : ONSEMI 2sa1417-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Frequency: 120MHz
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+63.10 грн
12+36.75 грн
100+23.52 грн
500+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Виробник : ONSEMI 2sa1417-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+75.13 грн
18+46.73 грн
100+30.42 грн
500+21.77 грн
1000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1417-d.pdf
на замовлення 467 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1417-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1417-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.