Продукція > ONSEMI > 2SC3647T-TD-E
2SC3647T-TD-E

2SC3647T-TD-E onsemi


2sa1417-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+19.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3647T-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SC3647T-TD-E за ціною від 15.52 грн до 64.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC3647T-TD-E 2SC3647T-TD-E Виробник : ONSEMI 2sa1417-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.43 грн
500+23.37 грн
1000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647T-TD-E 2SC3647T-TD-E Виробник : onsemi 2sa1417-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.16 грн
10+38.78 грн
100+26.85 грн
500+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647T-TD-E 2SC3647T-TD-E Виробник : onsemi 2SA1417_D-3150112.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 4122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.52 грн
10+43.74 грн
100+25.90 грн
500+21.70 грн
1000+18.39 грн
2000+16.70 грн
5000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647T-TD-E 2SC3647T-TD-E Виробник : ONSEMI 2sa1417-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+64.04 грн
17+49.10 грн
100+32.43 грн
500+23.37 грн
1000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1417-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 3940en2006-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647T-TD-E Виробник : ONSEMI 2sa1417-d.pdf 2SC3647T-TD-E NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.