2SC3649S-TD-E

2SC3649S-TD-E ON Semiconductor


2sa1419-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+26.68 грн
2000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3649S-TD-E ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SC3649S-TD-E за ціною від 15.58 грн до 88.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1419-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+28.56 грн
2000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E Виробник : onsemi 2SA1419-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
на замовлення 24445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.57 грн
10+50.15 грн
100+28.73 грн
500+22.71 грн
1000+16.68 грн
2000+15.92 грн
5000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E Виробник : onsemi en2007-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.00 грн
10+52.80 грн
100+34.70 грн
500+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1419-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E Виробник : onsemi en2007-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.