2SC3649S-TD-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.56 грн |
| 10+ | 52.53 грн |
| 100+ | 34.53 грн |
| 500+ | 25.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC3649S-TD-E onsemi
Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: PCP, Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SC3649S-TD-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC3649S-TD-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V |
на замовлення 23871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SC3649S-TD-E |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
на замовлення 23871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)