Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2SC3649S-TD-E
2SC3649S-TD-E

2SC3649S-TD-E ON Semiconductor

223en2007-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3649S-TD-E ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SC3649S-TD-E за ціною від 17.18 грн до 93.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1419-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+25.47 грн
2000+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1419-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+27.27 грн
2000+24.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E Виробник : onsemi 2SA1419-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
на замовлення 24445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.99 грн
10+55.33 грн
100+31.69 грн
500+25.05 грн
1000+18.40 грн
2000+17.56 грн
5000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E Виробник : onsemi en2007-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.35 грн
10+56.00 грн
100+36.81 грн
500+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1419-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E Виробник : onsemi en2007-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-E Виробник : ONSEMI en2007-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.5W
Collector current: 1.5A
Current gain: 140...280
Collector-emitter voltage: 160V
Frequency: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.