Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2SC3649S-TD-E
2SC3649S-TD-E

2SC3649S-TD-E ON Semiconductor

2sa1419-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+29.08 грн
2000+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3649S-TD-E ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: PCP, Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2SC3649S-TD-E за ціною від 25.14 грн до 87.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E ON Semiconductor 2sa1419-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.11 грн
2000+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E onsemi en2007-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.56 грн
10+52.53 грн
100+34.53 грн
500+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E onsemi en2007-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
на замовлення 23871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-E 2sa1419-d.pdf
2SC3649S-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+29.11 грн
2000+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-E en2007-d.pdf
2SC3649S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.56 грн
10+52.53 грн
100+34.53 грн
500+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-E en2007-d.pdf
2SC3649S-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
на замовлення 23871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.