Продукція > ONSEMI > 2SC3649T-TD-E
2SC3649T-TD-E

2SC3649T-TD-E onsemi

en2007-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+23.95 грн
2000+21.05 грн
3000+20.03 грн
5000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3649T-TD-E onsemi

Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: PCP, Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2SC3649T-TD-E за ціною від 16.50 грн до 83.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2SC3649T-TD-E 2SC3649T-TD-E onsemi en2007-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.15 грн
10+50.89 грн
100+29.06 грн
500+22.51 грн
1000+18.64 грн
2000+16.78 грн
5000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-E 2SC3649T-TD-E onsemi en2007-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+50.11 грн
100+32.87 грн
500+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-E ON Semiconductor en2007-d.pdf
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-E en2007-d.pdf
2SC3649T-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+82.15 грн
10+50.89 грн
100+29.06 грн
500+22.51 грн
1000+18.64 грн
2000+16.78 грн
5000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-E en2007-d.pdf
2SC3649T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+83.10 грн
10+50.11 грн
100+32.87 грн
500+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-E en2007-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.