Продукція > ONSEMI > 2SC3649T-TD-E
2SC3649T-TD-E

2SC3649T-TD-E onsemi


en2007-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+24.21 грн
2000+21.28 грн
3000+20.25 грн
5000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3649T-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SC3649T-TD-E за ціною від 16.68 грн до 83.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC3649T-TD-E 2SC3649T-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.13 грн
500+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-E 2SC3649T-TD-E Виробник : onsemi en2007-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
на замовлення 8425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.45 грн
10+38.39 грн
100+22.13 грн
500+20.03 грн
1000+19.38 грн
2000+17.63 грн
5000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-E 2SC3649T-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+42.00 грн
22+37.04 грн
100+24.91 грн
500+18.90 грн
1000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-E 2SC3649T-TD-E Виробник : onsemi en2007-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 6397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.99 грн
10+50.65 грн
100+33.22 грн
500+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-E Виробник : ON Semiconductor en2007-d.pdf
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1419-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 223en2007-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1419-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.