Продукція > ONSEMI > 2SC3649T-TD-E
2SC3649T-TD-E

2SC3649T-TD-E onsemi


en2007-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+20.6 грн
2000+ 17.67 грн
5000+ 16.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3649T-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції 2SC3649T-TD-E за ціною від 15.22 грн до 47.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC3649T-TD-E 2SC3649T-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+22.39 грн
500+ 18.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC3649T-TD-E 2SC3649T-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+35.95 грн
24+ 31.68 грн
100+ 22.39 грн
500+ 18.85 грн
Мінімальне замовлення: 21
2SC3649T-TD-E 2SC3649T-TD-E Виробник : onsemi EN2007_D-2311156.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
на замовлення 9132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.1 грн
10+ 34.09 грн
100+ 19.96 грн
500+ 18.09 грн
1000+ 16.42 грн
2000+ 15.56 грн
5000+ 15.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SC3649T-TD-E 2SC3649T-TD-E Виробник : onsemi en2007-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 7004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.66 грн
10+ 40.33 грн
100+ 27.89 грн
500+ 21.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC3649T-TD-E Виробник : ON Semiconductor en2007-d.pdf
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC3649T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1419-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SC3649T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 223en2007-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SC3649T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1419-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній