Продукція > ONSEMI > 2SC3651-OTE-TD-E

2SC3651-OTE-TD-E ONSEMI

ONSMS37271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3651-OTE-TD-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2290+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 2290
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC3651-OTE-TD-E ONSEMI

Description: BIP NPN 0.2A 100V, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: PCP, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SC3651-OTE-TD-E за ціною від 10.82 грн до 10.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC3651-OTE-TD-E Виробник : onsemi ONSMS37271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIP NPN 0.2A 100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1902+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 1902
2SC3651-OTE-TD-E Виробник : ON Semiconductor ONSMS37271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HIGH-GAIN/LF AMPLIFIER
товар відсутній