Продукція > ONSEMI > 2SC3953E-PM

2SC3953E-PM ONSEMI

ONSMS23360-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3953E-PM - 2SC3953E-PM, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 14825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
250+	24.53 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2SC3953E-PM ONSEMI

Description: 2SC3953 - NPN EPITAXIAL PLANAR S, Packaging: Bulk, Part Status: Obsolete, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: TO-126ML, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 1.3 W.

Інші пропозиції 2SC3953E-PM

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	2SC3953E-PM	Виробник : Sanyo	Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON Packaging: Bulk Part Status: Active	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	2SC3953E-PM	Виробник : onsemi	Description: 2SC3953 - NPN EPITAXIAL PLANAR S Packaging: Bulk Part Status: Obsolete Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-126ML Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1.3 W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.