Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SC4102U3HZGT106R
2SC4102U3HZGT106R

2SC4102U3HZGT106R Rohm Semiconductor

2sc4102u3hzgt106r-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 120V 0.05A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC4102U3HZGT106R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SC4102U3HZGT106R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SC4102U3HZGT106R за ціною від 9.29 грн до 40.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC4102U3HZGT106R 2SC4102U3HZGT106R Rohm Semiconductor 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1116+12.68 грн
1153+12.27 грн
2500+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 1116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4102U3HZGT106R 2SC4102U3HZGT106R Rohm Semiconductor 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
945+14.97 грн
1035+13.67 грн
1206+11.73 грн
1272+10.73 грн
2000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 945 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4102U3HZGT106R 2SC4102U3HZGT106R Rohm Semiconductor 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.05A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.30 грн
13+23.88 грн
100+15.21 грн
500+10.75 грн
1000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4102U3HZGT106R 2SC4102U3HZGT106R ROHM Semiconductor 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf Bipolar Transistors - BJT H. Volt 120V, 50mA UMT3
на замовлення 5402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4102U3HZGT106R 2SC4102U3HZGT106R ROHM 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf Description: ROHM - 2SC4102U3HZGT106R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4102U3HZGT106R 2SC4102U3HZGT106R ROHM 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf Description: ROHM - 2SC4102U3HZGT106R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4102U3HZGT106R 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf
2SC4102U3HZGT106R
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1116+12.68 грн
1153+12.27 грн
2500+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 1116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4102U3HZGT106R 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf
2SC4102U3HZGT106R
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
945+14.97 грн
1035+13.67 грн
1206+11.73 грн
1272+10.73 грн
2000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 945 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4102U3HZGT106R 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf
2SC4102U3HZGT106R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 120V 0.05A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.30 грн
13+23.88 грн
100+15.21 грн
500+10.75 грн
1000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4102U3HZGT106R 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf
2SC4102U3HZGT106R
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT H. Volt 120V, 50mA UMT3
на замовлення 5402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4102U3HZGT106R 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf
2SC4102U3HZGT106R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SC4102U3HZGT106R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4102U3HZGT106R 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf
2SC4102U3HZGT106R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SC4102U3HZGT106R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.