Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SC4102U3HZGT106R
2SC4102U3HZGT106R

2SC4102U3HZGT106R Rohm Semiconductor

2sc4102u3hzgt106r-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 120V 0.05A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC4102U3HZGT106R Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 120V 0.05A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 140MHz, Supplier Device Package: UMT3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 200 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції 2SC4102U3HZGT106R за ціною від 7.18 грн до 40.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2SC4102U3HZGT106R 2SC4102U3HZGT106R Rohm Semiconductor 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.05A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
14+21.84 грн
100+13.91 грн
500+9.83 грн
1000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4102U3HZGT106R 2SC4102U3HZGT106R ROHM Semiconductor 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf Bipolar Transistors - BJT H. Volt 120V, 50mA UMT3
на замовлення 5427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.83 грн
13+24.93 грн
100+13.81 грн
500+10.42 грн
1000+9.32 грн
3000+7.87 грн
6000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4102U3HZGT106R 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf
2SC4102U3HZGT106R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 120V 0.05A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+36.50 грн
14+21.84 грн
100+13.91 грн
500+9.83 грн
1000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4102U3HZGT106R 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf
2SC4102U3HZGT106R
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT H. Volt 120V, 50mA UMT3
на замовлення 5427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.83 грн
13+24.93 грн
100+13.81 грн
500+10.42 грн
1000+9.32 грн
3000+7.87 грн
6000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.