Продукція > ONSEMI > 2SC4134S-TL-E

2SC4134S-TL-E onsemi

Name: 2SC4134S-TL-E
Brand: onsemi
SKU: 9086343-3
Price: 350.98 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW

на замовлення 519 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	50.14 грн
10+	42.30 грн
100+	29.26 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2SC4134S-TL-E onsemi

Description: TRANS NPN 100V 1A TPFA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції 2SC4134S-TL-E

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
2SC4134S-TL-E	Виробник : ON Semiconductor	Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V	на замовлення 898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
2SC4134S-TL-E	Виробник : ON Semiconductor	NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON GP BJT TRANSISTOR	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
2SC4134S-TL-E	Виробник : onsemi	Description: TRANS NPN 100V 1A TPFA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TP-FA Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.