2SC4169-AE ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC4169-AE - 2SC4169-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1886+ | 14.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC4169-AE ONSEMI
Description: TRANS NPN 50V 1.2A 3-MP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 5V, Supplier Device Package: 3-MP, Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 mW.
Інші пропозиції 2SC4169-AE за ціною від 16.51 грн до 22.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC4169-AE | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 1.2A 3-MP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 5V Supplier Device Package: 3-MP Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 mW |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| 2SC4169-AE | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 1.2A 1000mW 3-Pin Case MP |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|