Продукція > ROHM > 2SC4617E3TLQ
2SC4617E3TLQ

2SC4617E3TLQ ROHM


3927527.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SC4617E3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+14.90 грн
90+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC4617E3TLQ ROHM

Description: ROHM - 2SC4617E3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 150mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції 2SC4617E3TLQ за ціною від 3.52 грн до 22.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC4617E3TLQ 2SC4617E3TLQ Виробник : Rohm Semiconductor 2sc4617e3-e.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.05 грн
28+11.24 грн
100+7.00 грн
500+4.83 грн
1000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4617E3TLQ 2SC4617E3TLQ Виробник : ROHM Semiconductor 2sc4617e3-e.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor, BJT NPN 50V (Vceo), 150mA (Ic), 3-Pin
на замовлення 5053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.01 грн
26+13.42 грн
100+7.34 грн
500+5.36 грн
1000+4.70 грн
3000+4.18 грн
6000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4617E3TLQ 2SC4617E3TLQ Виробник : ROHM 3927527.pdf Description: ROHM - 2SC4617E3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4617E3TLQ 2SC4617E3TLQ Виробник : Rohm Semiconductor 2sc4617e3-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4617E3TLQ 2SC4617E3TLQ Виробник : Rohm Semiconductor 2sc4617e3-e.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.