на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 939+ | 12.94 грн |
| 974+ | 12.47 грн |
| 1007+ | 12.07 грн |
| 2500+ | 11.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC4725TLP Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SC4725TLP - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 20 V, 1.5 GHz, 150 mW, 50 mA, SOT-416, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 1.5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SC4725TLP за ціною від 8.79 грн до 52.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC4725TLP | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - 2SC4725TLP - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 20 V, 1.5 GHz, 150 mW, 50 mA, SOT-416tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 1.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC4725TLP | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 20V 0.05A 3-Pin EMT T/R |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SC4725TLP | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: RF TRANS NPN 20V 0.05A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 1.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz Supplier Device Package: EMT3 |
на замовлення 2927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SC4725TLP | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 50MA |
на замовлення 8586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC4725TLP | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SC4725TLP - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 20 V, 1.5 GHz, 150 mW, 50 mA, SOT-416 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 1.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC4725TLP | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 20V 0.05A 3-Pin EMT T/R |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| 2SC4725TLP | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
2SC4725TLP NPN SMD transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
2SC4725TLP | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: RF TRANS NPN 20V 0.05A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 1.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz Supplier Device Package: EMT3 |
товару немає в наявності |