2SC4726TLN

2SC4726TLN Rohm Semiconductor


2sc4726tlp-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 11V 0.05A 3-Pin EMT T/R
на замовлення 2830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1197+10.18 грн
1237+9.84 грн
2500+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 1197
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC4726TLN Rohm Semiconductor

Description: RF TRANS NPN 11V 0.05A EMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V, Frequency - Transition: 3.2GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz, Supplier Device Package: EMT3.

Інші пропозиції 2SC4726TLN за ціною від 6.39 грн до 42.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC4726TLN 2SC4726TLN Виробник : Rohm Semiconductor 2sc4726tlp-e.pdf Description: RF TRANS NPN 11V 0.05A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz
Supplier Device Package: EMT3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4726TLN Виробник : ROHM Semiconductor 2sc4726tlp-e.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 11V 50MA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.21 грн
10+41.19 грн
1000+30.31 грн
3000+9.25 грн
9000+6.68 грн
24000+6.46 грн
45000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4726TLN 2SC4726TLN Виробник : Rohm Semiconductor 2sc4726tlp-e.pdf Description: RF TRANS NPN 11V 0.05A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz
Supplier Device Package: EMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.