2SC4774T106S Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RF TRANS NPN 6V 800MHZ UMT3
Frequency - Transition: 800MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 5mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: UMT3
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC4774T106S Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SC4774T106S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 10 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 270, Verlustleistung Pd: 200, Übergangsfrequenz ft: 800, Bauform - Transistor: SOT-323, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 6, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції 2SC4774T106S за ціною від 7.00 грн до 31.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SC4774T106S | Rohm Semiconductor |
Description: RF TRANS NPN 6V 800MHZ UMT3Frequency - Transition: 800MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 5mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 200mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: UMT3 |
на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SC4774T106S | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 6V 50MA |
на замовлення 1209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SC4774T106S |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RF TRANS NPN 6V 800MHZ UMT3
Frequency - Transition: 800MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 5mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: UMT3
Description: RF TRANS NPN 6V 800MHZ UMT3
Frequency - Transition: 800MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 5mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: UMT3
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.77 грн |
| 13+ | 23.13 грн |
| 25+ | 20.86 грн |
| 100+ | 13.52 грн |
| 250+ | 11.38 грн |
| 500+ | 9.25 грн |
| 1000+ | 7.00 грн |
| 2SC4774T106S |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 6V 50MA
Bipolar Transistors - BJT NPN 6V 50MA
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



