
на замовлення 7085 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 41.20 грн |
10+ | 34.60 грн |
100+ | 22.44 грн |
500+ | 17.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5227A-4-TB-E onsemi
Description: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-CP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 12dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V, Frequency - Transition: 7GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Supplier Device Package: 3-CP.
Інші пропозиції 2SC5227A-4-TB-E
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SC5227A-4-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2SC5227A-4-TB-E | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 10V; 0.07A; 0.2W; SC59 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 10V Collector current: 70mA Power dissipation: 0.2W Case: SC59 Current gain: 90...180 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 5...7GHz кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2SC5227A-4-TB-E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V Frequency - Transition: 7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Supplier Device Package: 3-CP |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2SC5227A-4-TB-E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V Frequency - Transition: 7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Supplier Device Package: 3-CP |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2SC5227A-4-TB-E | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 10V; 0.07A; 0.2W; SC59 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 10V Collector current: 70mA Power dissipation: 0.2W Case: SC59 Current gain: 90...180 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 5...7GHz |
товару немає в наявності |