на замовлення 7085 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 42.66 грн |
| 10+ | 35.83 грн |
| 100+ | 23.24 грн |
| 500+ | 18.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5227A-4-TB-E onsemi
Description: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-CP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 12dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V, Frequency - Transition: 7GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Supplier Device Package: 3-CP.
Інші пропозиції 2SC5227A-4-TB-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC5227A-4-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
2SC5227A-4-TB-E | Виробник : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-CP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V Frequency - Transition: 7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Supplier Device Package: 3-CP |
товару немає в наявності |
|
|
|
2SC5227A-4-TB-E | Виробник : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-CP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V Frequency - Transition: 7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Supplier Device Package: 3-CP |
товару немає в наявності |