Продукція > ONSEMI > 2SC5245A-4-TL-E
2SC5245A-4-TL-E

2SC5245A-4-TL-E onsemi

2SC5245A_D-1801470.pdf Виробник: onsemi
RF Bipolar Transistors HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.6 грн
10+ 51.66 грн
100+ 34.39 грн
500+ 27.23 грн
1000+ 21.73 грн
3000+ 19.21 грн
6000+ 18.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5245A-4-TL-E onsemi

Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3MCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 10dB, Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz, Supplier Device Package: 3-MCP.

Інші пропозиції 2SC5245A-4-TL-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC5245A-4-TL-E 2SC5245A-4-TL-E Виробник : ON Semiconductor 24982sc5245a-d.pdf Trans RF BJT NPN 10V 0.03A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2SC5245A-4-TL-E 2SC5245A-4-TL-E Виробник : onsemi Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3MCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz
Supplier Device Package: 3-MCP
товар відсутній
2SC5245A-4-TL-E 2SC5245A-4-TL-E Виробник : onsemi Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3MCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz
Supplier Device Package: 3-MCP
товар відсутній