Продукція > ONSEMI > 2SC5245A-4-TL-E

2SC5245A-4-TL-E onsemi

Name: 2SC5245A-4-TL-E
Brand: onsemi
SKU: 4782165-4
Price: 406.44 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
RF Bipolar Transistors HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER

на замовлення 3100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	67.74 грн
10+	58.72 грн
100+	39.09 грн
500+	30.95 грн
1000+	24.70 грн
3000+	21.84 грн
6000+	20.64 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2SC5245A-4-TL-E onsemi

Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3-MCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 10dB, Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz, Supplier Device Package: 3-MCP.

Інші пропозиції 2SC5245A-4-TL-E

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
2SC5245A-4-TL-E	Виробник : ON Semiconductor	Trans RF BJT NPN 10V 0.03A 150mW 3-Pin SC-70 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
2SC5245A-4-TL-E	Виробник : onsemi	Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3-MCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz Supplier Device Package: 3-MCP	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
2SC5245A-4-TL-E	Виробник : onsemi	Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3-MCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz Supplier Device Package: 3-MCP	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.