Продукція > ONSEMI > 2SC536NG-NPA-AT
2SC536NG-NPA-AT

2SC536NG-NPA-AT onsemi


Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1689582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4537+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC536NG-NPA-AT onsemi

Description: ONSEMI - 2SC536NG-NPA-AT - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 500 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 150mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції 2SC536NG-NPA-AT за ціною від 3.84 грн до 5.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC536NG-NPA-AT 2SC536NG-NPA-AT ON Semiconductor en6324-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1689582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.14 грн
10000+4.58 грн
100000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC536NG-NPA-AT 2SC536NG-NPA-AT ONSEMI ONSMS35580-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC536NG-NPA-AT - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 500 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 582 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC536NG-NPA-AT en6324-d.pdf
2SC536NG-NPA-AT
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1689582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6834+5.14 грн
10000+4.58 грн
100000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC536NG-NPA-AT ONSMS35580-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC536NG-NPA-AT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC536NG-NPA-AT - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 500 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 582 шт
В кошику  од. на суму  грн.