2SC5374A-TL-E ONSEMI (VIA ROCHESTER)
Виробник: ONSEMI (VIA ROCHESTER)Description: ONSEMI (VIA ROCHESTER) - 2SC5374A-TL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 18.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5374A-TL-E ONSEMI (VIA ROCHESTER)
Description: RF TRANS NPN 10V 5.2GHZ SMCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 10.5dB @ 1GHz, Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 7mA, 3V, Frequency - Transition: 5.2GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Supplier Device Package: SMCP.
Інші пропозиції 2SC5374A-TL-E за ціною від 18.37 грн до 21.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC5374A-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 10V 5.2GHZ SMCP Packaging: Bulk Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB @ 1GHz Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 7mA, 3V Frequency - Transition: 5.2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz Supplier Device Package: SMCP |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| 2SC5374A-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 10V 0.1A 100mW 3-Pin SMCP T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
 |
2SC5374A-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 10V 5.2GHZ SMCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB @ 1GHz Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 7mA, 3V Frequency - Transition: 5.2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz Supplier Device Package: SMCP |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
2SC5374A-TL-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 100MA 10V FT=5.2G |
товару немає в наявності |