Продукція > ONSEMI > 2SC5415AF-TD-E
2SC5415AF-TD-E

2SC5415AF-TD-E onsemi

ENA1080_D-1804612.pdf
Виробник: onsemi
RF Bipolar Transistors RF Transistor, NPN Single, 12 V, 100 mA, fT = 6.7 GHz
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5415AF-TD-E onsemi

Description: ONSEMI (VIA ROCHESTER) - 2SC5415AF-TD-E - Bipolarer HF-Transistor, Einfach NPN, 12 V, 6.7 GHz, 800 mW, 100 mA, PCP, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: PCP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Übergangsfrequenz: 6.7GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SC5415AF-TD-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC5415AF-TD-E ONSEMI (VIA ROCHESTER) ena1080-d.pdf Description: ONSEMI (VIA ROCHESTER) - 2SC5415AF-TD-E - Bipolarer HF-Transistor, Einfach NPN, 12 V, 6.7 GHz, 800 mW, 100 mA, PCP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: PCP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Übergangsfrequenz: 6.7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 659000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5415AF-TD-E ena1080-d.pdf
Виробник: ONSEMI (VIA ROCHESTER)
Description: ONSEMI (VIA ROCHESTER) - 2SC5415AF-TD-E - Bipolarer HF-Transistor, Einfach NPN, 12 V, 6.7 GHz, 800 mW, 100 mA, PCP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: PCP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Übergangsfrequenz: 6.7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 659000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.