2SC5415AF-TD-E onsemi
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 54.80 грн |
| 10+ | 47.26 грн |
| 100+ | 31.56 грн |
| 500+ | 24.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5415AF-TD-E onsemi
Description: ONSEMI (VIA ROCHESTER) - 2SC5415AF-TD-E - Bipolarer HF-Transistor, Einfach NPN, 12 V, 6.7 GHz, 800 mW, 100 mA, PCP, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: PCP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Übergangsfrequenz: 6.7GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SC5415AF-TD-E за ціною від 21.65 грн до 21.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC5415AF-TD-E | Виробник : ONSEMI (VIA ROCHESTER) |
 Description: ONSEMI (VIA ROCHESTER) - 2SC5415AF-TD-E - Bipolarer HF-Transistor, Einfach NPN, 12 V, 6.7 GHz, 800 mW, 100 mA, PCPtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: PCP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Übergangsfrequenz: 6.7GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 659000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
2SC5415AF-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9dB Power - Max: 800mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V Frequency - Transition: 6.7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |