Продукція > ONSEMI > 2SC5501A-4-TR-E
2SC5501A-4-TR-E

2SC5501A-4-TR-E onsemi


ONSMS36104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: 2SC5501A - RF TRANSISTOR, 10V, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 4-MCP
на замовлення 78377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2420+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 2420
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5501A-4-TR-E onsemi

Description: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 4MCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 13dB, Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V, Frequency - Transition: 7GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Supplier Device Package: 4-MCP.

Інші пропозиції 2SC5501A-4-TR-E за ціною від 8.03 грн до 8.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC5501A-4-TR-E Виробник : ONSEMI ONSMS36104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5501A-4-TR-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 78377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC5501A-4-TR-E 2SC5501A-4-TR-E Виробник : onsemi 2SC5501A.pdf Description: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 4MCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 4-MCP
товар відсутній
2SC5501A-4-TR-E 2SC5501A-4-TR-E Виробник : ON Semiconductor ENA1061_D-2311059.pdf Bipolar Transistors - BJT MEDIUM OUTPUT AMPLIFIER
товар відсутній