Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > 2SC5551AE-TD-E

2SC5551AE-TD-E

2sc5551a-d.pdf
Код товару: 129114
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 2SC5551AE-TD-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC5551AE-TD-E 2SC5551AE-TD-E onsemi 2sc5551a-d.pdf Description: RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.3W
Current - Collector (Ic) (Max): 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 3.5GHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5551AE-TD-E 2SC5551AE-TD-E onsemi 2SC5551A_D-1801452.pdf Bipolar Transistors - BJT RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5551AE-TD-E 2sc5551a-d.pdf
2SC5551AE-TD-E
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.3W
Current - Collector (Ic) (Max): 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 3.5GHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5551AE-TD-E 2SC5551A_D-1801452.pdf
2SC5551AE-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.