Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > 2SC5551AE-TD-E

2SC5551AE-TD-E

2sc5551a-d.pdf

Код товару: 129114

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції 2SC5551AE-TD-E

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	2SC5551AE-TD-E	Виробник : ON Semiconductor	Trans RF BJT NPN 30V 0.3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	2SC5551AE-TD-E	Виробник : ON Semiconductor	Trans RF BJT NPN 30V 0.3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	2SC5551AE-TD-E	Виробник : onsemi	Description: RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 1.3W Current - Collector (Ic) (Max): 300mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 3.5GHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	2SC5551AE-TD-E	Виробник : onsemi	Bipolar Transistors - BJT RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.