2SC5566-TD-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 17.67 грн |
2000+ | 15.15 грн |
5000+ | 14.36 грн |
10000+ | 12.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5566-TD-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції 2SC5566-TD-E за ціною від 13 грн до 41.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SC5566-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 3.5W Case: SOT89 Current gain: 200...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 400MHz |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC5566-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC5566-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 3.5W Case: SOT89 Current gain: 200...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 400MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 185 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC5566-TD-E | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V |
на замовлення 8867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC5566-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC5566-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 10765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC5566-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 671313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC5566-TD-E | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC5566-TD-E | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC5566-TD-E Код товару: 161288 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
2SC5566-TD-E | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
2SC5566-TD-E | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
2SC5566-TD-E | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
2SC5566-TD-E | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |