Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > 2SC5566-TD-E

2SC5566-TD-E

en6307-d.pdf
Код товару: 161288
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 2SC5566-TD-E за ціною від 15.61 грн до 76.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.26 грн
500+22.40 грн
1000+18.57 грн
5000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI en6307-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.81 грн
12+36.82 грн
50+27.17 грн
100+24.04 грн
500+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.46 грн
10+39.92 грн
100+25.99 грн
500+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi en6307-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
на замовлення 7285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.35 грн
10+44.97 грн
100+25.53 грн
500+19.69 грн
1000+16.67 грн
2000+16.17 грн
5000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.88 грн
18+47.92 грн
100+31.26 грн
500+22.40 грн
1000+18.57 грн
5000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 115629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1367+25.82 грн
10000+23.01 грн
100000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 1367
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 464000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1367+25.82 грн
10000+23.01 грн
100000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 1367
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1367+25.82 грн
10000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 1367
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+45.19 грн
317+44.52 грн
321+44.08 грн
408+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5566-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.26 грн
500+22.40 грн
1000+18.57 грн
5000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+63.81 грн
12+36.82 грн
50+27.17 грн
100+24.04 грн
500+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.46 грн
10+39.92 грн
100+25.99 грн
500+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
на замовлення 7285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.35 грн
10+44.97 грн
100+25.53 грн
500+19.69 грн
1000+16.67 грн
2000+16.17 грн
5000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5566-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.88 грн
18+47.92 грн
100+31.26 грн
500+22.40 грн
1000+18.57 грн
5000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 115629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1367+25.82 грн
10000+23.01 грн
100000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 1367
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 464000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1367+25.82 грн
10000+23.01 грн
100000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 1367
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1367+25.82 грн
10000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 1367
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
313+45.19 грн
317+44.52 грн
321+44.08 грн
408+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.