Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > 2SC5566-TD-E

2SC5566-TD-E

2SA2013-D.PDF
Код товару: 161288
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 2SC5566-TD-E за ціною від 15.57 грн до 78.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI 2SA2013-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 200...560
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 400MHz
Collector current: 4A
Mounting: SMD
на замовлення 712 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.57 грн
11+40.07 грн
50+30.82 грн
100+27.42 грн
500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi 2SA2013-D.PDF Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.21 грн
10+43.25 грн
100+28.18 грн
500+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi 2SA2013-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
на замовлення 7074 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+78.47 грн
10+48.11 грн
100+27.31 грн
500+21.07 грн
1000+19.64 грн
2000+17.68 грн
10000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 115629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1367+26.80 грн
10000+23.89 грн
100000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 1367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 464000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1367+26.80 грн
10000+23.89 грн
100000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 1367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1367+26.80 грн
10000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 1367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.18 грн
25+51.36 грн
50+50.44 грн
100+35.12 грн
250+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+52.27 грн
285+51.45 грн
290+50.52 грн
402+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SA2013-D.PDF
2SC5566-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 200...560
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 400MHz
Collector current: 4A
Mounting: SMD
на замовлення 712 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.57 грн
11+40.07 грн
50+30.82 грн
100+27.42 грн
500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SA2013-D.PDF
2SC5566-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.21 грн
10+43.25 грн
100+28.18 грн
500+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SA2013-D.PDF
2SC5566-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
на замовлення 7074 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.47 грн
10+48.11 грн
100+27.31 грн
500+21.07 грн
1000+19.64 грн
2000+17.68 грн
10000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5566-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5566-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 115629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1367+26.80 грн
10000+23.89 грн
100000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 1367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 464000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1367+26.80 грн
10000+23.89 грн
100000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 1367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1367+26.80 грн
10000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 1367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+52.18 грн
25+51.36 грн
50+50.44 грн
100+35.12 грн
250+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
281+52.27 грн
285+51.45 грн
290+50.52 грн
402+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.