Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > 2SC5566-TD-E

2SC5566-TD-E

en6307-d.pdf
Код товару: 161288
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 2SC5566-TD-E за ціною від 18.40 грн до 66.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.09 грн
10+39.10 грн
100+25.45 грн
500+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI en6307-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 400MHz
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Power dissipation: 1.3W
Collector current: 4A
Current gain: 200...560
Collector-emitter voltage: 50V
Polarisation: bipolar
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.07 грн
11+38.64 грн
50+29.85 грн
100+26.45 грн
500+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI en6307-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi en6307-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
на замовлення 7256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI en6307-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 115629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1367+25.87 грн
10000+23.06 грн
100000+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 1367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 464000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1367+25.87 грн
10000+23.06 грн
100000+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 1367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1367+25.87 грн
10000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 1367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+45.36 грн
317+44.69 грн
320+44.25 грн
407+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.09 грн
10+39.10 грн
100+25.45 грн
500+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 400MHz
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Power dissipation: 1.3W
Collector current: 4A
Current gain: 200...560
Collector-emitter voltage: 50V
Polarisation: bipolar
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+66.07 грн
11+38.64 грн
50+29.85 грн
100+26.45 грн
500+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
на замовлення 7256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 115629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1367+25.87 грн
10000+23.06 грн
100000+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 1367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 464000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1367+25.87 грн
10000+23.06 грн
100000+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 1367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1367+25.87 грн
10000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 1367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
312+45.36 грн
317+44.69 грн
320+44.25 грн
407+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.