Інші пропозиції 2SC5566-TD-E за ціною від 16.37 грн до 75.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC5566-TD-E | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 50V 4A PCPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SC5566-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 8745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SC5566-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89 Mounting: SMD Case: SOT89 Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Collector current: 4A Power dissipation: 1.3W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Frequency: 400MHz Polarisation: bipolar |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC5566-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 1372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SC5566-TD-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V |
на замовлення 7302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC5566-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 8745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2SC5566-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 115629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2SC5566-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 464000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2SC5566-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 89000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2SC5566-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,3, Uceo, В = 50, Ic = 4 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 400, hFE = 200 @ 500 мA, 2 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,225 @ 100 мA, 2 A, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-89-3 (PCP) кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |