
2SC5566-TD-E onsemi

Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 19.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5566-TD-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2SC5566-TD-E за ціною від 13.62 грн до 68.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SC5566-TD-E | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 9916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SC5566-TD-E | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 4A Power dissipation: 1.3W Case: SOT89 Current gain: 200...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 400MHz |
на замовлення 133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SC5566-TD-E | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 4A Power dissipation: 1.3W Case: SOT89 Current gain: 200...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 400MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 133 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SC5566-TD-E | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 9916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SC5566-TD-E | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 7809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SC5566-TD-E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 1753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2SC5566-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 115213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SC5566-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 464000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SC5566-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 91000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SC5566-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SC5566-TD-E Код товару: 161288
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
2SC5566-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
2SC5566-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
2SC5566-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |