Продукція > ONSEMI > 2SC5566-TD-E
2SC5566-TD-E

2SC5566-TD-E onsemi

en6307-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+20.33 грн
2000+17.82 грн
3000+16.92 грн
5000+14.94 грн
7000+14.38 грн
10000+13.84 грн
25000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5566-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції 2SC5566-TD-E за ціною від 13.65 грн до 71.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.70 грн
500+18.01 грн
1000+15.28 грн
5000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E Виробник : ONSEMI en6307-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 400MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 4A
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E Виробник : ONSEMI en6307-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 400MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+44.15 грн
28+30.37 грн
100+22.70 грн
500+18.01 грн
1000+15.28 грн
5000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E Виробник : onsemi en6307-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
на замовлення 8546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.66 грн
11+31.05 грн
100+20.16 грн
500+17.21 грн
1000+15.82 грн
2000+14.20 грн
5000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E Виробник : onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 55763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.62 грн
10+43.22 грн
100+28.12 грн
500+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 115213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1632+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 1632
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 464000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1632+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 1632
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 91000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1632+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 1632
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E
Код товару: 161288
Додати до обраних Обраний товар

en6307-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E Виробник : ON Semiconductor 1974en6307-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.