2SC5569-TD-E onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 50V 7A SOT-89/PCP-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 25.55 грн |
| 2000+ | 22.49 грн |
| 3000+ | 21.41 грн |
| 5000+ | 18.96 грн |
| 7000+ | 18.28 грн |
| 10000+ | 17.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5569-TD-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 7A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 330MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SC5569-TD-E за ціною від 17.12 грн до 88.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC5569-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC5569-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SC5569-TD-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 7A 50V |
на замовлення 27848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC5569-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 7A SOT-89/PCP-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 22685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2SC5569-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2SC5569-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 178000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2SC5569-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2SC5569-TD-E | Виробник : SANYO |
SOT223 |
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SC5569-TD-E | Виробник : SANYO |
SOT89 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SC5569-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| 2SC5569-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
2SC5569-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89 Mounting: SMD Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT89 Frequency: 330MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 560...200 Collector current: 7A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
2SC5569-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89 Mounting: SMD Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT89 Frequency: 330MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 560...200 Collector current: 7A |
товару немає в наявності |