Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SC5585E3TL
2SC5585E3TL

2SC5585E3TL Rohm Semiconductor

2sc5585e3-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1654+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 1654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5585E3TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 150mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SC5585E3TL за ціною від 6.52 грн до 27.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Rohm Semiconductor 2sc5585e3-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+23.39 грн
100+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SC5585E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.90 грн
19+16.57 грн
100+10.47 грн
500+7.33 грн
1000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SC5585E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 12V 0.5A, Low VCE(sat) Transistor
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL ROHM datasheet?p=2SC5585E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Rohm Semiconductor 2sc5585e3-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL ROHM datasheet?p=2SC5585E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+23.39 грн
100+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL datasheet?p=2SC5585E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SC5585E3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.90 грн
19+16.57 грн
100+10.47 грн
500+7.33 грн
1000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL datasheet?p=2SC5585E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SC5585E3TL
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 12V 0.5A, Low VCE(sat) Transistor
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL datasheet?p=2SC5585E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SC5585E3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL datasheet?p=2SC5585E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SC5585E3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.