Продукція > ROHM > 2SC5585E3TL
2SC5585E3TL

2SC5585E3TL ROHM


datasheet?p=2SC5585E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.82 грн
500+6.79 грн
1000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5585E3TL ROHM

Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції 2SC5585E3TL за ціною від 4.94 грн до 29.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Виробник : Rohm Semiconductor 2sc5585e3-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1379+10.12 грн
1426+9.79 грн
2500+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 1379
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Виробник : ROHM datasheet?p=2SC5585E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+25.07 грн
53+15.41 грн
100+9.82 грн
500+6.79 грн
1000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SC5585E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.16 грн
19+16.72 грн
100+10.57 грн
500+7.40 грн
1000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SC5585E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 12V 0.5A, Low VCE(sat) Transistor
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.29 грн
18+17.83 грн
100+9.81 грн
500+7.37 грн
1000+6.54 грн
3000+5.42 грн
6000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SC5585E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.