Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SC5585E3TL
2SC5585E3TL

2SC5585E3TL Rohm Semiconductor

2sc5585e3-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1576+7.72 грн
1629+7.47 грн
2500+7.25 грн
5000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 1576
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5585E3TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції 2SC5585E3TL за ціною від 4.33 грн до 33.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Виробник : ROHM 2sc5585e3-e.pdf Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.63 грн
500+8.03 грн
1000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Виробник : Rohm Semiconductor 2sc5585e3-e.pdf Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.96 грн
17+18.27 грн
100+11.54 грн
500+8.08 грн
1000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Виробник : ROHM 2sc5585e3-e.pdf Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.01 грн
41+20.34 грн
100+9.63 грн
500+8.03 грн
1000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Виробник : ROHM Semiconductor 2sc5585e3-e.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 12V 0.5A, Low VCE(sat) Transistor
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.48 грн
17+20.34 грн
100+8.37 грн
1000+6.61 грн
3000+4.70 грн
9000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Виробник : Rohm Semiconductor 2sc5585e3-e.pdf Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.