2SC563200L PANPSONIC


2SC5632.pdf
Виробник: PANPSONIC
09+
на замовлення 24018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC563200L PANPSONIC

Description: RF TRANS NPN 8V 1.1GHZ SMINI3-G1, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SMini3-G1, Frequency - Transition: 1.1GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 4V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Power - Max: 150mW, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2SC563200L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC563200L 2SC563200L Виробник : Panasonic Electronic Components 2SC5632.pdf Description: RF TRANS NPN 8V 1.1GHZ SMINI3-G1
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMini3-G1
Frequency - Transition: 1.1GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 4V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC563200L 2SC563200L Виробник : Panasonic Electronic Components 2SC5632.pdf Description: RF TRANS NPN 8V 1.1GHZ SMINI3-G1
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMini3-G1
Frequency - Transition: 1.1GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 4V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.