Продукція > ONSEMI > 2SC5646A-TL-H

2SC5646A-TL-H onsemi


ENA1120_D-1804297.pdf
Виробник: onsemi
RF Bipolar Transistors BIP NPN 30MA 4V FT=10G
на замовлення 775 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.50 грн
10+33.76 грн
100+21.47 грн
500+16.89 грн
1000+13.06 грн
2500+11.94 грн
5000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5646A-TL-H onsemi

Description: RF TRANS NPN 4V 12.5GHZ 3SSFP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-81, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz, Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V, Frequency - Transition: 10GHz ~ 12.5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Supplier Device Package: 3-SSFP.

Інші пропозиції 2SC5646A-TL-H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC5646A-TL-H 2SC5646A-TL-H onsemi ena1120-d.pdf Description: RF TRANS NPN 4V 12.5GHZ 3SSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 10GHz ~ 12.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5646A-TL-H 2SC5646A-TL-H onsemi ena1120-d.pdf Description: RF TRANS NPN 4V 12.5GHZ 3SSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 10GHz ~ 12.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5646A-TL-H ON Semiconductor ena1120-d.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5646A-TL-H ena1120-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 4V 12.5GHZ 3SSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 10GHz ~ 12.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5646A-TL-H ena1120-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 4V 12.5GHZ 3SSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 10GHz ~ 12.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5646A-TL-H ena1120-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 4V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.