2SC5706-E ON Semiconductor
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 45.84 грн |
| 3000+ | 43.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5706-E ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 5A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: TP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 800 mW.
Інші пропозиції 2SC5706-E за ціною від 122.67 грн до 122.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC5706-E | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 2SC5706-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 15W Anzahl der Pins: 4Pin(s) euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false Übergangsfrequenz: 400MHz rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 5A |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| 2SC5706-E | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 379 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
 |
2SC5706-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
товару немає в наявності |
|||||
 |
2SC5706-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 5A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
товару немає в наявності |
|||||
 |
2SC5706-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V |
товару немає в наявності |