Продукція > ONSEMI > 2SC5706-TL-E
2SC5706-TL-E

2SC5706-TL-E onsemi

EN6912-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
700+34.37 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 700 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5706-TL-E onsemi

Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції 2SC5706-TL-E за ціною від 44.15 грн до 108.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC5706-TL-E 2SC5706-TL-E onsemi EN6912-D.PDF Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.95 грн
10+66.27 грн
100+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-E 2SC5706-TL-E onsemi EN6912-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 15124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-E 2SC5706-TL-E ON Semiconductor en6912-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-E EN6912-D.PDF
2SC5706-TL-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.95 грн
10+66.27 грн
100+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-E EN6912-D.PDF
2SC5706-TL-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 15124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-E en6912-d.pdf
2SC5706-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.