Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2SC5706-TL-E
2SC5706-TL-E

2SC5706-TL-E ON Semiconductor

439en6912-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5706-TL-E ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції 2SC5706-TL-E за ціною від 32.98 грн до 105.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC5706-TL-E 2SC5706-TL-E Виробник : onsemi en6912-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-E 2SC5706-TL-E Виробник : onsemi en6912-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.19 грн
10+63.95 грн
100+42.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-E Виробник : ON Semiconductor en6912-d.pdf
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-E Виробник : SONYO en6912-d.pdf 08+PB
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-E 2SC5706-TL-E Виробник : ON Semiconductor en6912-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-E 2SC5706-TL-E Виробник : ONSEMI ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-E 2SC5706-TL-E Виробник : onsemi EN6912_D-1803990.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.