2SC5706-TL-E ON Semiconductor
на замовлення 16100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 700+ | 27.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5706-TL-E ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 800 mW.
Інші пропозиції 2SC5706-TL-E за ціною від 22.31 грн до 111.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC5706-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC5706-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 16100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC5706-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 16437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC5706-TL-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V |
на замовлення 58309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2SC5706-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 232 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| 2SC5706-TL-E | Виробник : SONYO |
08+PB |
на замовлення 535 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
2SC5706-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
2SC5706-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| 2SC5706-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 5A; 0.8W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 5A Power dissipation: 0.8W Case: DPAK Current gain: 200...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |