2SC5706-TL-H ON Semiconductor
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2100+ | 27.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5706-TL-H ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SC5706-TL-H за ціною від 21.71 грн до 69.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC5706-TL-H | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 50V 5A TPFAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 39200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC5706-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC5706-TL-H | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 5A TPFA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 40197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC5706-TL-H | Виробник : onsemi |
RF Bipolar Transistors BIP NPN 5A 50V |
на замовлення 1898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC5706-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC5706-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
2SC5706-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
2SC5706-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| 2SC5706-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 5A; 0.8W; TO252 Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 200...560 Collector current: 5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.8W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: TO252 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| 2SC5706-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 5A; 0.8W; TO252 Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 200...560 Collector current: 5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.8W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: TO252 |
товар відсутній |