Продукція > ONSEMI > 2SC5706-TL-H
2SC5706-TL-H

2SC5706-TL-H onsemi


en6912-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5706-TL-H onsemi

Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2SC5706-TL-H за ціною від 34.96 грн до 142.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC5706-TL-H 2SC5706-TL-H Виробник : ON Semiconductor en6912-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
474+68.41 грн
527+61.58 грн
Мінімальне замовлення: 474
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-H 2SC5706-TL-H Виробник : onsemi en6912-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.28 грн
10+79.42 грн
100+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-H 2SC5706-TL-H Виробник : onsemi 566AD99D712046B41EAA99ACB05ABECA10B166AC5AA5D4DBD47E642186E88952.pdf RF Bipolar Transistors BIP NPN 5A 50V
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.49 грн
10+85.98 грн
100+50.40 грн
700+38.28 грн
1400+35.17 грн
2100+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-H 2SC5706-TL-H Виробник : ONSEMI en6912-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+142.15 грн
10+90.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-H 2SC5706-TL-H Виробник : ONSEMI en6912-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-H 2SC5706-TL-H Виробник : ON Semiconductor en6912-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-H Виробник : ONSEMI en6912-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 5A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.