2SC5706-TL-H ON Semiconductor
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 700+ | 38.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5706-TL-H ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2SC5706-TL-H за ціною від 29.77 грн до 150.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC5706-TL-H | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 23100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SC5706-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC5706-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC5706-TL-H | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 23834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SC5706-TL-H | Виробник : onsemi |
RF Bipolar Transistors BIP NPN 5A 50V |
на замовлення 1122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC5706-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SC5706-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
2SC5706-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
2SC5706-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| 2SC5706-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 5A; 0.8W; DPAK Polarisation: bipolar Case: DPAK Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Power dissipation: 0.8W Collector current: 5A Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 200...560 |
товару немає в наявності |