2SC5707-E ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5707-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 330
Bauform - Transistor: TO-251
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5707-E ONSEMI
Description: TRANS NPN 50V 8A TP, Packaging: Bag, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 330MHz, Supplier Device Package: TP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SC5707-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC5707-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 8A TP Packaging: Bag Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
|
 |
2SC5707-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V |
товару немає в наявності |