Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2SC5707-E

2SC5707-E ON Semiconductor

2SA2040-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+79.60 грн
12+68.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5707-E ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 50V 8A TP, Packaging: Bag, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 330MHz, Supplier Device Package: TP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SC5707-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC5707-E On Semiconductor 2SA2040-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-E 2SC5707-E onsemi 2SA2040-D.PDF Description: TRANS NPN 50V 8A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-E 2SC5707-E onsemi EN6913_D-2311055.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-E 2SC5707-E ONSEMI ONSMS36375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5707-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 330
Bauform - Transistor: TO-251
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-E 2SA2040-D.PDF
Виробник: On Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-E 2SA2040-D.PDF
2SC5707-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 8A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-E EN6913_D-2311055.pdf
2SC5707-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-E ONSMS36375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5707-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5707-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 330
Bauform - Transistor: TO-251
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.