
2SC5707-TL-E ONSEMI

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: DPAK
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Frequency: 330MHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 102.34 грн |
10+ | 68.20 грн |
19+ | 49.05 грн |
51+ | 46.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5707-TL-E ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 330MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2SC5707-TL-E за ціною від 32.88 грн до 137.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() +1 |
2SC5707-TL-E | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 8A Power dissipation: 1W Case: DPAK Current gain: 200...560 Mounting: SMD Frequency: 330MHz Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5707-TL-E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5707-TL-E | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5707-TL-E | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5707-TL-E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 3440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5707-TL-E | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 6872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2SC5707-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 242 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC5707-TL-E Код товару: 211444
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
2SC5707-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
2SC5707-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |